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    看好第三代半導體未來發展, 中睿技術檢測公司引進相關設備, 提供業界可靠性驗證服務
    來源:中睿技術檢測 2024-03-27 |  1098

     

    第三代半導體指的是以碳化硅(SiC)氮化鎵(GaN)為代表的新型化合物, 此種新型化合物較傳統的化合物, 在高溫、高壓及大電流的環境下, 有著相對的特性優勢。

    而氮化鎵(GaN)作為新的第三代半導體材料,應用范圍相當廣泛,其中GaN的射頻器件可作為通訊及5G基站的應用, GaN的光電器件可用于高清電視,顯示屏,以及手機和電腦的背光使用, 而GaN製成的功率半導體, 也被廣泛應用在新能源汽車的車充, DC/AC 適配器及電池管理系統等。

     

    尤其第三代半導體產業在中國大戰略的政策計劃推動下,氮化鎵不論在應用領域以及市場規模, 正快速的成長擴大,新公司蔚為風潮的投入相關產業鏈, 樂觀估計, 到了2026年, 中國的氮化鎵市場,將會成長到超過千億元以上的規模, 成為未來的明星產業之一。

     

    為確保出貨產品的可靠性, 中睿技術檢測透過相關驗證設備, 能快速、精確的協助客戶定位異常產品,提供改善優化以及更新迭代的參考, 來增加產品的可靠性, 加速產品開發時程,并提高出貨良率,進而在市場競爭中,取得致勝先機。

    中睿技術檢測引進的GaN測試設備, 包括HTRB(高溫反偏壓測試)和HTGB(高溫柵極偏壓測試),還有針對車規產品進行的H3TRB(高濕度、高溫反向偏置測試)設備,相關測試也包含了TCT(供電溫度循環), 能提供業界相對完整的系列解決方案, 是氮化鎵客戶最佳的測試選擇。

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